近日,三星在美国加州圣何塞举行的三星晶圆代工论坛(SFF)上表示,在过去一年中,三星代工的AI需求相关销售额增长了80%,预计到2028年,其AI芯片代工客户数量将比2023年增加4倍,代工销售额将比2023年增加9倍。三星还公布了其最新的工艺技术路线图,包括两个新的工艺节点—SF2Z和SF4U,并且将为其代工客户提供全面的“一站式”人工智能解决方案。
三星发布的最新先进制程工艺技术路线图
据了解,三星此次发布的最新2nm工艺节点SF2Z采用了优化的背面供电网络(BSPDN)技术,将电源轨置于晶圆背面,以降低供电电路对互联信号电路的干扰。与第一代2nm节点SF2相比,SF2Z在提高功率、性能和面积的同时,还可以降低电压,从而提高HPC设计的性能,该技术预计将于2027年实现量产。此次发布的另一个工艺节点SF4U是一种4nm变体,通过结合光学缩小来提供PPA改进,计划于2025年实现量产。
三星还透露了其SF1.4(1.4纳米)的准备工作目前进展顺利,有望在2027年达成性能和良率目标并实现量产。三星还将通过材料和结构创新,积极塑造1.4纳米以下的未来工艺技术。
而三星的两位老对手此前也公布了其先进制程的路线图,台积电计划在2025年推出工艺节点N2(2nm工艺)。台积电表示,N2将是台积电首个使用全栅极(GAA)纳米片晶体管的生产节点,这将显著提高其性能、功耗和面积(PPA)特性。与N3E相比,在N3上生产的半导体可将功耗降低25%~30%,将性能提高10%~15%,并将晶体管密度提高15%。2026年,台积电将推出N2P(性能增强型2纳米级)和A16(具有背面功率传输功能的1.6纳米级),分别针对智能手机和高性能计算应用。
台积电的先进工艺技术路线图
英特尔早在2021年就提出了“四年五个节点”计划,即四年内完成Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A、Intel 18A(可对应7nm~1.8nm工艺)五个节点。英特尔首席执行官帕特・基辛格表示,英特尔的Intel 20A(2纳米)和18A(1.8nm)将如期上市,是业内首批采用PowerVia背面供电技术的芯片,通过优化供电提高性能和晶体管密度。英特尔在今年2月拓展了制程技术路线图,新增了Intel 14A(1.4nm工艺)和数个专业节点的演化版本。三家在先进制程上的进度可以说是互不相让。
三星还在会上强调了其GAA技术,计划在今年下半年量产其第二代3nm工艺(SF3),并在即将推出的2nm工艺上实现GAA。
在人工智能解决方案方面,三星将于2027年推出一个整合代工、内存和AVP业务等各个业务优势的人工智能平台(AI Solution),具备高性能、低功耗和高带宽等特点,还可根据特定的人工智能需求进行定制。